[25p-E301-1~8] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25p-E301-1] SiC(0001)表面のステップ端の微視的な構造の解明

〇(PC)制野 かおり^1,2、押山 淳¹ (1.名大未来研、2.イエナ大物理)

キーワード：SiC、第一原理計算、表面ステップ

SiCのエピタキシャル成長で一般に用いられる面である(0001)Si面の２つのオフ方向のステップの原子レベルでの構造について、第一原理計算に基づくエネルギー論から検討をした。Si-C bilayerの１段差ステップに対し、ステップ端の原子の種類とそのダングリングボンドの数が異なるいくつかの直線状のステップの微視的な構造モデルを考え、その安定構造およびステップ形成エネルギー、さらにはステップ端での吸着原子の拡散を本講演では議論する。