[25p-E301-1~8] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25p-E301-3] Al濃度10²⁰cm^-3台前半でのp型4H-SiC CVDエピ膜の 結晶性と電気特性との関係

〇(M2)近藤 佑樹¹、日高 淳輝¹、松浦 秀治¹、紀 世陽²、江藤 数馬²、児島 一聡²、加藤 智久²、吉田 貞史²、奥村 元² (1.大阪電通大、2.産総研)

キーワード：半導体、シリコンカーバイド、可変領域ホッピング伝導

SiCを用いたオン抵抗の低いパワーデバイスであるnチャネルIGBTの実用化のため、p型4H-SiCの電気的特性を調べてきた。Al濃度が1.8×10²⁰ cm^-3から3.5×10²⁰ cm^-3の高濃度試料において、抵抗率の温度依存性より、低温域では可変領域ホッピング (VRH) 伝導が支配的であり、Al濃度の増加に伴って抵抗率の温度依存性の傾きから見積もったフェルミ準位付近の局在準位密度が増加することを明らかにした。本研究では、フェルミ準位付近の局在準位密度と局在準位が現れる原因の一つである結晶の周期構造の乱れとして格子面間隔の揺らぎを調べるため、XRD測定を行い、c面の格子面間隔の揺らぎの目安を算出し、フェルミ準位付近の局在準位密度とc面の格子面間隔の揺らぎの関係について議論する。