[25p-E301-1~8] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25p-E301-5] KrFレーザードーピングによる SiCへの窒素拡散
―レーザードーピングメカニズムの研究（その３）―

〇妹川 要¹、納富 良一¹、宇佐見 康継¹ (1.ギガフォトン（株）)

キーワード：レーザードーピング、炭化珪素、拡散深さ

SiCはその物性特性から高耐圧、高温動作、低オン抵抗動作等の多くの有効性が示唆されている一方で、結晶性回復過程や活性化率向上時により高温な処理が必要とされるなど課題もある。その解決手段の一つとしてレーザーによる拡散層形成も有効な手法と考えられている。我々は前回に引き続きレーザードーピングによる拡散メカニズムを明確にする目的でレーザー照射回数と拡散深さについて調査したので報告する。