[25p-E301-1~8] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25p-E301-6] 光学干渉非接触温度測定 (OICT)イメージングを用いたSiC Schottky barrier diodeの三次元自己発熱測定及び故障観察

〇藤本 渓也¹、花房 宏明¹、佐藤 拓磨¹、東 清一郎¹ (1.広大先進理工)

キーワード：SiC、温度測定、故障

パワーデバイスの発展が進む一方で, デバイスの自己発熱がより深刻となっている. 高温動作はデバイス性能や寿命に影響を及ぼし, さらに故障の要因となるため, デバイス動作時の温度測定が信頼性向上には必要である. 本研究では光学干渉非接触温度イメージング技術 (optical-interference contactless thermometry (OICT) imaging)を開発し, SiC Schottky barrier diode (SBD) 動作時の三次元温度測定及び, 故障時の発熱の観察を行った.