[25p-E301-1~8] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[25p-E301-8] [第43回論文奨励賞受賞記念講演] 4H-SiCパワーデバイスの長期信頼性保証に向けた耐圧・容量変動の解析

〇松島 宏行^1,2、毛利 友紀¹、島 明生¹、岩室 憲幸² (1.日立製作所、2.筑波大)

キーワード：半導体、炭化珪素(SiC)、信頼性

パワーデバイスで重要な特性の一つである耐圧に関して，終端領域と呼ばれる構造の周辺でチャージアップが生じ，それによる耐圧特性劣化が懸念される。そこで本研究では終端領域における電荷蓄積量をストレス前後の容量変化量から見積もる独自の解析手法で評価し，高温・高湿・高電圧ストレスの影響を定量的に評価することで，耐圧変動抑制のための指針を見出した。