[25p-E305-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

△ [25p-E305-1] Nb:SrTiO₃基板上のエピタキシャル(Al,Sc)N薄膜における強誘電体特性

〇長谷川 浩太^1,2、清水 荘雄²、陳 君²、大澤 健男²、坂口 勲^1,2、大橋 直樹^1,2,3 (1.九大院総理工、2.物材機構、3.東工大)

キーワード：強誘電体、窒化アルミニウム、スカンジウム

(Al,Sc)Nの強誘電性を検討するための良質な薄膜結晶を得るため、格子整合性と下部電極材料としての導電性の両立が期待されるNb添加SrTiO₃の(111)面上に(Al,Sc)N薄膜をスパッタ成長させた。その結果、c軸配向であり、かつ(Al, Sc)N[100]//Nb:STO[1-10]の面内方位関係をもったエピタキシャル成長が実現し、得られた薄膜から明瞭な分極反転挙動が観測された。