[25p-E307-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [25p-E307-5] Cu-growth scheme by selective-LPCVD CuI-precursor

〇Gento Toyoda¹, Hikari Kikuchi¹, Satoshi Yamauchi¹, Takashi Fuse², Yusuke Kubota² (1.Ibaraki Univ., 2.Tokyo Electron Technology Solutions Limited.)

Keywords:selective-chemical vapor deposition, copper interconnect

これまでに我々は、ヨウ化銅（I）（CuI）を真空中で300^oC程度に加熱し、面内安定化構造をとる三量体で昇華させて基板表面に供給することで300^oC程度の低温で金属上へのみCuが選択成長し、成長温度とCuI供給速度を制御することでCu膜を形成できることを示してきた。今回は、Cu粒径の制御を目的としてRu(001)上へのCu成長形態の成長温度と成長時間の依存性から本方法に依るCuの成長機構を検討したので報告する。