[25p-P01-1~19] 6.3 Oxide electronics

[25p-P01-16] Energy band structure of InGaZnO thin films analyzed by photoelectron yield spectroscopy in air

〇Yuta Watanabe¹, Yoshiaki Hattori¹, Masatoshi Kitamura¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:InGaZnO, photoelectron yield spectroscopy in air

最近ではInGaZnOを半導体層に用いた薄膜トランジスタは，フラットパネルディスプレイに応用され，また，高移動度，フレキシブルデバイスへ応用可能という点で注目を集めている．このように注目を集めるInGaZnOであるが，単結晶Siに比べるとそのエネルギーバンド構造については明らかでない点もある．本研究では，金属もしくは酸化物半導体上のInGaZnO薄膜に注目し，大気中光電子収量分光法によりそのバンド構造を調べたのでそれについて報告する．