[25p-P01-1~19] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[25p-P01-7] ZrO_x系ReRAMにおける電極界面へのSiO_x層挿入効果

〇(M2)當山 啓斗¹、秋山 竜介¹、結城 賢采¹、塚越 一仁²、相川 慎也¹ (1.工学院大工、2.物材研)

キーワード：抵抗変化メモリ、貴金属フリー、ZrOx,SiO2