[25p-P02-1~2] 6.5 表面物理・真空

[25p-P02-1] 2段階活性化によるNEA-GaAsにおける最大量子効率の上昇率とGa₂O脱離量の関係

〇小林 大地¹、城生 大¹、佐田 雄飛¹、吉武 裕貴¹、目黒 多加志¹ (1.東京理科大)

キーワード：NEA表面