[25p-P06-1~5] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[25p-P06-5] MOVPE成長p GaNの0.88 eV 正孔トラップに関するイオン注入/高温熱処理プロセスの影響

〇徳田 豊¹、冨田 一義²、加地 徹²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.名古屋大学、3.住重アテックス)

キーワード：熱処理

MOVPE成長GaNで観測される0.88 eV正孔トラップは、窒素位置炭素(C_N)であると同定されている。一方、水素あるいはHeイオン注入MOVPE p-GaNで、0.88 eV正孔トラップの濃度減少を示し、注入導入欠陥とC_Nの複合体形成を示唆した。さらに今回、0.88 eV正孔トラップへの高温長時間熱処理の影響について検討した。測定試料構造はn⁺-GaN基板上MOVPE成長n⁺pp⁺接合である。熱処理は850 °C/5分および300分である。トラップの評価はDLTS測定により行った。その結果、300分熱処理で0.88 eV正孔トラップ濃度の減少が観測された。これは、熱処理により導入される欠陥とC_Nとの複合体形成の可能性を示唆すると考えている。