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[25p-P06-5] MOVPE成長p GaNの0.88 eV 正孔トラップに関するイオン注入/高温熱処理プロセスの影響
キーワード:熱処理
MOVPE成長GaNで観測される0.88 eV正孔トラップは、窒素位置炭素(CN)であると同定されている。一方、水素あるいはHeイオン注入MOVPE p-GaNで、0.88 eV正孔トラップの濃度減少を示し、注入導入欠陥とCNの複合体形成を示唆した。さらに今回、0.88 eV正孔トラップへの高温長時間熱処理の影響について検討した。測定試料構造はn+-GaN基板上MOVPE成長n+pp+接合である。熱処理は850 °C/5分および300分である。トラップの評価はDLTS測定により行った。その結果、300分熱処理で0.88 eV正孔トラップ濃度の減少が観測された。これは、熱処理により導入される欠陥とCNとの複合体形成の可能性を示唆すると考えている。