[25p-P10-1~7] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

[25p-P10-3] Formation of MoS₂ Nanotubes using Anodic Aluminum Oxide and their Application to Field-Effect Transistors

〇(M1)Naoya Shiraiwa¹, Takeshi Ito¹, Shoso Shingubara¹, Tomohiro Shimizu¹ (1.Kansai Univ.)

Keywords:semiconductor, nanotube, FET

二硫化モリブデン(MoS2)は単分子層でバンドギャップを有するため, 機械的柔軟性, 高移動度, 低消費電力といった優れた特徴を持つ電子デバイス材料として注目されている。本研究では, 陽極酸化アルミナを鋳型として用いて作製したMoS2のシートをチューブ状に形成した。そして、MoS2ナノチューブを用いて電界効果トランジスタを作製した。MoS2ナノチューブトランジスタの電気特性について報告する。