[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-2] Ar⁺イオン衝撃によりp型GaNに導入される電気的ダメージのUV光照射効果

〇豊留 彬¹、中野 由崇¹、川上 烈生²、新部 正人³ (1.中部大工、2.徳島大院工、3.兵庫県立大)

キーワード：p型GaN、Ar+イオン、UV光照射

Ar⁺イオンを照射したp型GaNに導入される電気的ダメージのUV光照射効果をC-V法と光容量過渡分光法を用いて評価した。Ar⁺イオン照射により価電子帯上~2.0eV, ~3.1eV、伝導帯下~3.35eV付近に3つの準位が顕在化するが、UV照射強度が増加する程、これらの準位は内方拡散していることを確認した。したがって、UV照射はイオン衝撃によるV_Ga, V_Nの導入を促進すると同時に、V_Gaの内方拡散に伴いMgアクセプターは追随し内方拡散していると推定される。