[25p-P11-1~16] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[25p-P11-3] Electrical Defect Investigation of β-Ga₂O₃(-201) Single Crystals Annealed at High Temperatures in Vacuum

Akira Toyotome¹, 〇Yoshitaka Nakano¹ (1.Chubu Univ.)

Keywords:Ga2O3, intrinsic defect levels, steady-state photo-capacitance spectroscopy

β-Ga₂O₃(-201)単結晶を高温度で真空中アニール処理し固有欠陥準位の生成挙動を光容量過渡分光(SSPC)法により電気的に評価した。1回目の真空中アニール処理では欠陥準位のエネルギー状態密度分布に大きな変化ないが、2回目の真空中アニール処理ではEc-2.6eV, Ev+4.3eVの欠陥準位に大きな濃度増加が見られた。これらはGa空孔関連、O空孔関連の欠陥準位であると推定される。