[25p-P11-1~16] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[25p-P11-3] 高温度真空中アニール処理したβ-Ga₂O₃(-201)単結晶の欠陥準位評価

豊留 彬¹、〇中野 由崇¹ (1.中部大工)

キーワード：酸化ガリウム、固有欠陥準位、光容量過渡分光法

β-Ga₂O₃(-201)単結晶を高温度で真空中アニール処理し固有欠陥準位の生成挙動を光容量過渡分光(SSPC)法により電気的に評価した。1回目の真空中アニール処理では欠陥準位のエネルギー状態密度分布に大きな変化ないが、2回目の真空中アニール処理ではEc-2.6eV, Ev+4.3eVの欠陥準位に大きな濃度増加が見られた。これらはGa空孔関連、O空孔関連の欠陥準位であると推定される。