[26a-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26a-E104-2] ANN原子間ポテンシャルによるSi結晶中の大規模原子空孔クラスターの優先的成長モードの予測

〇野田 祐輔¹、後口 拓登²、横井 達矢³、神山 栄治¹、大櫃 万聖²、永倉 大樹²、末岡 浩治¹ (1.岡山県大情報工、2.岡山県大院情報系工、3.名古屋大院工)

キーワード：シリコン、第一原理計算、原子間ポテンシャル

本研究では，人工ニューラルネットワーク（ANN）原子間ポテンシャルを用いて，Si結晶中の大規模な原子空孔凝集体（Vクラスター）のエネルギー的安定性を評価した．原子空孔Vが1,000個程度までのVクラスターの形成エネルギーを評価し，Vクラスターの優先的な成長モードを明らかにした．さらに，各Vクラスターのエネルギー的安定性とダングリングボンド数に相関があることを確認した．