[26a-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

△ [26a-E104-6] Impact of Interstitial Oxygen on Stability of Nitrogen-Vacancy Complexes in Czochralski Silicon Single Crystals

〇Akira Sada¹, Yusuke Noda², Koji Sueoka², Kaoru Kajiwara³, Masataka Hourai³ (1.Graduate School of Okayama Pref. Univ., 2.Okayama Pref. Univ., 3.SUMCO Corporation)

Keywords:Nitrogen doped Silicon single crystals, first principle calculation, interstitial Oxygen

半導体デバイスの微細化に伴い，基板となるCZ-Si単結晶にはさらなる無欠陥性が求められている．結晶中への窒素添加によりボイド欠陥のサイズは小さくなるが，最近になって酸素の影響で，窒素によるボイド抑制効果が低下することが明らかになっている．本研究では第一原理計算法を用い，窒素と原子空孔が関与する複合体の結合エネルギーを計算することで，各種複合体の安定性と，それにOが与える影響について考察した．