[26a-E202-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26a-E202-6] ルチル型 Ge_xSn_1-xO₂混晶薄膜の作製とその基礎物性

〇(M2)高根 倫史¹、若松 岳¹、田中 勝久¹、四戸 孝²、金子 健太郎¹ (1.京大院工、2.FLOSFIA)

キーワード：酸化ゲルマニウム、酸化スズ、混晶半導体

ミストCVDによりルチル型Ge_xSn_1-xO₂混晶薄膜(Ge組成: x=0.00, 0.29, 0.41, 0.52, 0.87, 1.00)を成長し，分光エリプソメトリー(SE)，Hall効果測定を用いてその基礎物性を解析した．SEにより，x≤0.87において，Ge組成の増加に伴うバンドギャップの増加が確認された．また，Hall効果測定により，x≤0.87において，アンドープでの導電性を確認した．