[26a-E202-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26a-E202-9] Study on the fabrication and insulation characteristics of AlOx thin film by Mist CVD

〇Miyabi Fukue¹, Tatsuya Yasuoka¹, Yuna Ishikawa¹, Kanta Asako¹, Li Liu³, Akitaka Itou^2,3, Toshinobu Fujimura⁴, Toshiyuki Kawaharamura^1,3 (1.Sys. Eng., 2.Env. Sci & Eng., 3.Res. Inst, 4.NOF Corp.)

Keywords:AlOx, mist CVD, thinfilm

ミストCVD法によって作製されたAlOxは、既に従来手法と同等の絶縁破壊電界強度 6.0(MV/cm) および誘電率 6(-) を達成している。これはMethanol溶媒にH₂Oをすることにより酸素源を供給することで、高い絶縁性が得られている。さらに成膜中にO₃ガスを支援することで、より高い絶縁破壊電界強度 8.0(MV/cm) および誘電率 7(-)が得られている。この絶縁性向上のメカニズムを、出発材料である溶液の観点から調査を行った。