The 69th JSAP Spring Meeting 2022

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[26a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

Sat. Mar 26, 2022 9:00 AM - 12:00 PM E203 (E203)

Maki Kushimoto(Nagoya Univ.), Kentaro Nagamatsu(Tokushima Univ.)

9:30 AM - 9:45 AM

[26a-E203-3] Fabrication of 10 mW class 230 nm deep-UV LED panel

〇Hideki Hirayama1, Hiroyuki Oogami2, Yasushi Iwaisako2, Yukio Kashima1, Eriko Matsuura3, Kazuki Iimura4, Masafumi Jo1, Noritoshi Maeda1, Hidetoshi Shinohara5, Kanji Furuta6, Ryuuichiro Kamimura6, Yohei Oayama7, Takeshi Iwai7, Tsugumu Nagano8 (1.RIKEN, 2.Nippon Tungsten, 3.Marubun, 4.Farmroid, 5.Shibaura Machin, 6.ULVAC, 7.Tokyo Ohka Kogyo, 8.Dainippon Printing)

Keywords:deep-UV LED, MOCVD, AlGaN

波長230nm以下の深紫外LEDは、生体に無害で、且つ、強力なウイルス不活化効果を有するため、有人空間におけるウイルス対策光源として注目されている。近年、SARS-COV-2ウイルスの不活化が特に注目を集めている。本研究では、短波長230nmLEDの並列実装を行い、10mWクラスの深紫外LEDパネルを実現したので報告する。