[26a-E203-1~11] 15.4 III-V-group nitride crystals

[26a-E203-9] Development of DUV-LEDs on AlN Templates with Low-Densities of Screw and Mixed Dislocations

〇Kenjiro Uesugi^1,2, Shigeyuki Kuboya¹, Takao Nakamura^2,4, Kanako Shojiki³, Shiyu Xiao¹, Masataka Kubo³, Hideto Miyake^2,3 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 3.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ., 4.IIS, The Univ. of Tokyo)

Keywords:AlN, annealing, DUV-LED

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレートを用いてDUV-LEDを作製した。AlNのスパッタ成膜条件を制御することでらせん成分を有する貫通転位の密度を低減し、表面平坦性の低下を引き起こすヒロック構造の形成を抑制した。これによりDUV-LEDの発光効率向上を実現し、ピーク波長263 nmにおいて外部量子効率の最大値として8.0%を得た。