[26a-E301-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[26a-E301-2] 超伝導集積回路光インターコネクションのための量子井戸微小リング光変調器の超低電圧化の設計と作製

〇(M2)兼古 雄太¹、吉川 信行¹、荒川 太郎¹ (1.横浜国大院　理工学府)

キーワード：半導体

4.2 Kの極低温で動作するNbベースの超伝導集積回路は，極めて低い電力消費で数十GHzの超高速動作が可能である．しかしその電圧出力はサブmV程度と小さく， CMOSメモリとハイブリッドシステムにおいて接続に昇圧回路を介す必要があり，速度の低下，集積性の悪化，消費電力の増加が課題となっている．本研究では，超伝導集積回路とCMOSメモリ間の高速な光インターコネクションの実現を目指し，極低温においてmVオーダーの低電圧で駆動する光変調器の実現を目指している．本発表では，多重量子井戸（MQW）をコア層とするダブル・微小リング装荷型マッハ・ツェンダー型光変調器（D-MRR MZM）の超低電圧駆動及びグレーティングカプラ（GC）理論検討を行ったので報告する．