[26a-E301-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

[26a-E301-5] InAs Quantum Dot Laser fabricated by using Surfactant Effect of Bi

〇Satoshi Yanase¹, Kouichi Akahane², Atsushi Matsumoto², Naokatsu Yamamoto², Atsushi Kanno², Tomohiro Maeda^1,2, Hideyuki Sotobayashi¹ (1.Aogaku Univ., 2.NICT)

Keywords:semiconductor laser, quantum Dot

本研究ではBi照射のサーファクタント効果を利用して成長させたInAs量子ドットを用いて量子ドットレーザを作製し、特性評価を行ったのでこれを報告する。