[26a-E301-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

[26a-E301-6] TEM / EDS analysis of Intermixed Quantum Dot laser

〇Atsushi Matsumoto¹, Runa Kaneko², Kouichi Akahane¹, Ryumi Katsuhara², Ryouta Yabuki², Naokatsu Yamamoto¹, Yuichi Matsushima², Atsushi Kanno¹, Katsuyuki Utaka² (1.NICT, 2.Waseda Univ.)

Keywords:Quantum dot, LD

我々は高性能光デバイスの材料・ナノ構造として期待される量子ドット（QD）に注目し、イオン注入を用いたQD組成混晶化（IID-QDI）技術により、再成長不要なQD集積素子の研究を行ってきた。本稿では、B及びArイオンによるIID-QDIを実施したリッジ型QD-LDの断面のTEM観察・EDS分析を実施し、特にBイオンを用いた組成混晶化について検討したので、これを報告する。