[26a-E301-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[26a-E301-6] 組成混晶量子ドットレーザの断面TEM/EDS分析

〇松本 敦¹、金子 瑠那²、赤羽 浩一¹、勝原 龍海²、矢吹 諒太²、山本 直克¹、松島 裕一²、菅野 敦史¹、宇高 勝之² (1.情通機構、2.早大理工)

キーワード：量子ドット、半導体レーザ

我々は高性能光デバイスの材料・ナノ構造として期待される量子ドット（QD）に注目し、イオン注入を用いたQD組成混晶化（IID-QDI）技術により、再成長不要なQD集積素子の研究を行ってきた。本稿では、B及びArイオンによるIID-QDIを実施したリッジ型QD-LDの断面のTEM観察・EDS分析を実施し、特にBイオンを用いた組成混晶化について検討したので、これを報告する。