[26a-E301-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [26a-E301-8] Characterization of FSI InGaAs PhotoFETs with In₂O₃-based SWIR Transparent Conductive Oxide (TCO) Gate

〇(M2)Kazuaki Oishi^1,2, Takashi Koida², Tetsuji Shimizu², Hiroyuki Ishii², Wen-Hsin Chang², Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹, Tatsuro Maeda^1,2 (1.TUS, 2.AIST)

Keywords:InGaAs, PhotoFET, In2O3

我々は、近赤外領域における高感度イメージングの実現に向けてSi-LSI回路と化合物半導体センサーのヘテロ集積を目指した表面照射型InGaAs PhotoFETによる近赤外線検出と分光感度特性を評価してきた。今回、近赤外領域で透明かつ高い電気伝導率を有する透明導電性酸化膜(TCO)を金属ゲートとして利用した表面照射型TCOゲートInGaAs PhotoFETを作製し、高感度な近赤外線検出に成功した。