[26a-E301-1~9] 3.13 半導体光デバイス

△ [26a-E301-8] In₂O₃系近赤外域透明導電性酸化膜ゲートを用いた表面照射型InGaAs PhotoFETsの特性評価

〇(M2)大石 和明^1,2、鯉田 崇²、清水 鉄司²、石井 裕之²、張 文馨²、遠藤 聡¹、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：InGaAs、フォトトランジスタ、In2O3

我々は、近赤外領域における高感度イメージングの実現に向けてSi-LSI回路と化合物半導体センサーのヘテロ集積を目指した表面照射型InGaAs PhotoFETによる近赤外線検出と分光感度特性を評価してきた。今回、近赤外領域で透明かつ高い電気伝導率を有する透明導電性酸化膜(TCO)を金属ゲートとして利用した表面照射型TCOゲートInGaAs PhotoFETを作製し、高感度な近赤外線検出に成功した。