[26a-E305-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [26a-E305-1] 複数ナノ構造の電気識別のための構造埋込Si MOSFETの試作と評価

〇水野 慎太郎¹、三ツ谷 拓真¹、法元 盛久²、葛西 誠也¹ (1.北大 量集センター、2.産総研)

キーワード：半導体、Si MOSFET、ナノ構造

物理空間とサイバー空間が融合する環境での安全な認証技術として、人工的に複製不可能な物理的特徴を利用した人工物メトリクスが注目されている。レジスト倒壊現象を利用したナノ人工物メトリクスは高いセキュリティ性能を持つ。課題は微小構造の読出しである。我々はナノ構造をMOSFETのゲート直下に埋め込むことで電気的に識別する方法を提案した。本研究では複数ナノ構造を埋め込んだSi MOSFETの試作と電気特性評価を行った。