[26a-E305-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [26a-E305-7] エレクトロマイグレーション法によるナノギャップ形成に対する電界効果の検証

〇(M1)本山 弘之^1,2、阿部 卓也¹、菅 洋志¹、島 久²、秋永 広幸²、内藤 泰久² (1.千葉工大、2.産総研)

キーワード：ナノギャップ、エレクトロマイグレーション、電界効果

ナノギャップ電極を形成する方法としてelectromigration(EM)法が知られている．簡便な方法で数nm程度のナノギャップを再現性よく形成できるためよく用いられている．しかし，EM法はランダムな位置にギャップを形成するため，多端子構造に応用するには困難であった．そこで本研究では，EM法のナノギャップ形成時に外部電界を印加することで，ナノギャップ形成位置が変化するか調べ，電界の効果によりナノギャップ位置を制御できることを明らかにした．