[26a-E305-1~8] 9.3 Nanoelectronics

△ [26a-E305-8] Fabrication of Single-Electron Transistor by Two-Angle Evaporation through a Hard Mask with a Window at the Center

〇Yoshiaki Iwata¹, Go Sakamoto², Alka Singh³, Hiroaki Satoh⁴, Hiroshi Inokawa⁴ (1.GSIST, Shizuoka Univ., 2.Shizuoka Univ., 3.GSST, Shizuoka Univ., 4.RIE, Shizuoka Univ.)

Keywords:Single-Electron Transistor, Nanoparticle, Nanoelectronics

本研究では、中央に窓が開いた多結晶Siハードマスクを介して斜め2回蒸着してSETを作製する工程を検討した。マスク長L_maskより小さいギャップ長Lを持つ電極が作製できるだけでなく、その後スパッタリング等により開口部に限定して単電子島を形成することができる。その結果、一度のリソグラフィーでSETを作製することが可能となった。