[26a-E305-1~8] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [26a-E305-8] 中央に窓が開いたハードマスクを介した斜め2回蒸着による単電子トランジスタの作製

〇岩田 賢明¹、坂本 剛²、アルカ シン³、佐藤 弘明⁴、猪川 洋⁴ (1.静岡大・総合科学技術、2.静岡大・工、3.静岡大・創造科学技術、4.静岡大・電子研)

キーワード：単電子トランジスタ、ナノ微粒子、ナノエレクトロニクス

本研究では、中央に窓が開いた多結晶Siハードマスクを介して斜め2回蒸着してSETを作製する工程を検討した。マスク長L_maskより小さいギャップ長Lを持つ電極が作製できるだけでなく、その後スパッタリング等により開口部に限定して単電子島を形成することができる。その結果、一度のリソグラフィーでSETを作製することが可能となった。