2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

9 応用物性 » 9.1 誘電材料・誘電体

[26a-E307-1~9] 9.1 誘電材料・誘電体

2022年3月26日(土) 09:00 〜 11:30 E307 (E307)

永田 肇(東理大)、森本 貴明(防衛大)

09:15 〜 09:30

[26a-E307-2] FLA処理による強誘電性HfxZr1-xO2薄膜の形成
―膜厚依存性―

〇太田 裕登1、和泉 賢人1、河原崎 光2、谷村 英昭2、加藤 慎一2、奈良 安雄1 (1.兵県大工、2.SCREENセミコン)

キーワード:強誘電性、HZO、FLA

近年、薄膜状態でも強誘電性を失わないHfO2系材料が高集積化強誘電体メモリに適した材料として注目を集めている。中でもHf0.5Zr0.5O2は強誘電性を示すO相(直方晶)割合が最も多くなることが分かっており有望な材料である。また、Hf0.5Zr0.5O2薄膜にFLA(Flash Lamp Annealing)などの高温・短時間熱処理を行うと強誘電性が向上することが報告されている。今回はHf0.5Zr0.5O2の膜厚を5nmに薄膜化した場合の加熱時間、温度とEnduranceの調査結果を報告する。