[26a-F408-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[26a-F408-2] n型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールのNa侵入型電圧誘起劣化とその回復

〇大平 圭介¹、小松 豊¹、山口 世力^1,2、増田 淳³ (1.北陸先端大、2.筑波大、3.新潟大)

キーワード：電圧誘起劣化、n型結晶Si太陽電池モジュール

n型フロントエミッタ型結晶Si太陽電池モジュールのNa侵入型の電圧誘起劣化(PID)とその回復挙動について、詳細な調査を行った。PID挙動が、試験時に印加する電圧に大きく依存しないことを見出した。また、逆バイアス印加による回復試験では、劣化に要する時間よりも圧倒的に短い時間で初期性能まで回復しており、特異な劣化・回復挙動を示すことを明らかにした。