[26a-P05-1~5] 15.5 Group IV crystals and alloys

[26a-P05-5] Sn distribution in Ge/GeSn heterostructures formed on Ge substrates
using sputter epitaxy method

〇Takahiro Tsukamoto¹, Kento Ikeno¹, Nobumitsu Hirose², Akifumi Kasamatsu², Toshiaki Matsui², Yoshiyuki Suda³ (1.Univ. Electro-comm., 2.NICT, 3.Tokyo Univ. Agric. Technol.)

Keywords:sputtering, GeSn, SIMS

直接遷移GeSnは発光素子への応用が期待されているが、結晶成長においてSnの析出や拡散の現象の理解が不十分であり、結晶成長技術の開発が重要である。これまでに、スパッタエピタキシー法を用いたGeSn薄膜形成に取り組み、Sn析出の挙動観察や、高Sn組成で高結晶なGeSn薄膜の形成に成功している。本研究では、Ge/GeSnヘテロ構造におけるGeSnからGeへのSn拡散について報告する。