[26a-P05-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[26a-P05-5] スパッタエピタキシー法により作製したGe/GeSnヘテロ構造における
Sn拡散

〇塚本 貴広¹、池野 憲人¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、須田 良幸³ (1.電通大、2.情報通信研究機構、3.東京農工大)

キーワード：スパッタ、GeSn、SIMS

直接遷移GeSnは発光素子への応用が期待されているが、結晶成長においてSnの析出や拡散の現象の理解が不十分であり、結晶成長技術の開発が重要である。これまでに、スパッタエピタキシー法を用いたGeSn薄膜形成に取り組み、Sn析出の挙動観察や、高Sn組成で高結晶なGeSn薄膜の形成に成功している。本研究では、Ge/GeSnヘテロ構造におけるGeSnからGeへのSn拡散について報告する。