[26p-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[26p-E104-1] Effects of Hydrogen Treatment on Piezoresistance Coefficients of Ge

〇Kazunori Matsuda¹, Masashi Yamamoto², Michio Mikawa², Shiro Nagaoka², Kouji Tanigawa¹, Takashi Kunimoto¹, Kazuo Tsutsui³ (1.Tokushima Bunri Univ., 2.NIT Kagawa, 3.Tokyo Inst. Tech.)

Keywords:germanium, piezoresistance effects, hydrogen anneal

ベル研究所のSmithやMorin等が60年ほど前に調べたp型Si, Geのピエゾ抵抗係数はGeの<100>方向の値だけが負になっており, 未だに説明ができない問題である. よく知られている変形ポテンシャルのモデルでは引張歪に対して重いホールバンドが軽いホールバンドよりエネルギーが低くなるために重いホールの密度が増えて抵抗が増加するが，Geの<100>方向だげが逆に減少している．この異常な係数について詳しく調べるために．今回はノンドープGeを水素処理し，ピエゾ抵抗効果の温度依存性に対する影響を調べた．