[26p-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26p-E104-1] Geのピエゾ抵抗係数に対する水素処理効果

〇松田 和典¹、山本 雅史²、三河 通男²、長岡 史郎²、谷川 浩司¹、國本 崇¹、筒井 一生³ (1.徳文大理工、2.香川高専、3.東工大)

キーワード：ゲルマ二ウム、ピエゾ抵抗効果、水素アニール

ベル研究所のSmithやMorin等が60年ほど前に調べたp型Si, Geのピエゾ抵抗係数はGeの<100>方向の値だけが負になっており, 未だに説明ができない問題である. よく知られている変形ポテンシャルのモデルでは引張歪に対して重いホールバンドが軽いホールバンドよりエネルギーが低くなるために重いホールの密度が増えて抵抗が増加するが，Geの<100>方向だげが逆に減少している．この異常な係数について詳しく調べるために．今回はノンドープGeを水素処理し，ピエゾ抵抗効果の温度依存性に対する影響を調べた．