[26p-E104-1~11] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[26p-E104-3] Characterization of surface carrier recombination lifetime of GaAs (110) using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy

〇Shuhei Ichikawa^1,2, Kazunobu Kojima¹ (1.Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM, Osaka Univ.)

Keywords:surface recombination, GaAs, two-photon photoemission

半導体光デバイスやパワーデバイスにおいて、近年キャリア輸送特性に関する研究が盛んに行われている。我々はこれまでに、表面に敏感な紫外光電子分光測定において、フェムト秒パルスレーザーをポンプ・プローブ光に用いることで時間分解二光子光電子分光測定系(Tr-2PPE)を構築し、半導体の表面再結合寿命の評価が可能であることを示してきた。本報告では、un-dope GaAs(110)表面における、表面再結合寿命の大気暴露時間依存性を評価したので報告する。