2:00 PM - 2:15 PM
[26p-E104-3] Characterization of surface carrier recombination lifetime of GaAs (110) using time-resolved two-photon photoemission spectroscopy
Keywords:surface recombination, GaAs, two-photon photoemission
半導体光デバイスやパワーデバイスにおいて、近年キャリア輸送特性に関する研究が盛んに行われている。我々はこれまでに、表面に敏感な紫外光電子分光測定において、フェムト秒パルスレーザーをポンプ・プローブ光に用いることで時間分解二光子光電子分光測定系(Tr-2PPE)を構築し、半導体の表面再結合寿命の評価が可能であることを示してきた。本報告では、un-dope GaAs(110)表面における、表面再結合寿命の大気暴露時間依存性を評価したので報告する。