[26p-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26p-E104-3] 時間分解二光子光電子分光法を用いたGaAs(110)における表面再結合寿命の大気暴露時間依存性の評価

〇市川 修平^1,2、小島 一信¹ (1.阪大院工、2.阪大電顕センター)

キーワード：表面再結合、砒化ガリウム、二光子光電子分光

半導体光デバイスやパワーデバイスにおいて、近年キャリア輸送特性に関する研究が盛んに行われている。我々はこれまでに、表面に敏感な紫外光電子分光測定において、フェムト秒パルスレーザーをポンプ・プローブ光に用いることで時間分解二光子光電子分光測定系(Tr-2PPE)を構築し、半導体の表面再結合寿命の評価が可能であることを示してきた。本報告では、un-dope GaAs(110)表面における、表面再結合寿命の大気暴露時間依存性を評価したので報告する。