[26p-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26p-E104-5] 3 次元積層型CMOS イメージセンサ向けSi ウェーハの製品設計（I）
-CH₃O 分子イオン注入ウェーハによるSiO₂/Si 界面準位欠陥の低減-

〇奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、鈴木 陽洋¹、小林 弘治¹、重松 理史¹、廣瀬 諒¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：水素パッシベーション、分子イオン注入

CMOSイメージセンサではSiO₂/Si界面の界面準位密度（D_it）の低減が重要な技術課題である。我々は炭化水素分子イオン注入ウェーハに酸素を追加したCH₃O分子イオン注入ウェーハを開発してきた。本研究では、CH₃O分子注入ウェーハにおける注入領域からの水素脱離によるD_it低減効果の解析をおこなったので報告する。