[26p-E104-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[26p-E104-6] 3次元積層型CMOSイメージセンサ向けSiウェーハの製品設計（Ⅱ）
–SiO₂/Si界面準位欠陥の消滅に伴う歪み状態変化の光電子分光分析–

〇鈴木 陽洋¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、小林 弘治¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、古賀 祥泰¹、高橋 和敏²、栗田 一成¹ (1.株式会社SUMCO、2.佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター)

キーワード：シリコン酸化膜、界面、歪み

CMOSイメージセンサの歩留まり向上のためには、フォトダイオード領域に存在するSiO₂/Si界面準位欠陥（Siダングリングボンド；Pbセンター）の密度を極限まで低減し、かつ制御する必要がある。先行研究で、SiO₂/Si界面における歪みの蓄積及び緩和がPbセンター密度の変動に対応することが示されている。一方で、Pbセンター密度の低減に最も有効かつ簡便な水素雰囲気熱処理における、SiO₂/Si界面の歪みの挙動はわかっていない。今回は、プロトン（H⁺）を注入したSiO₂/Si構造に対して光電子分光測定を行い、水素存在下におけるPbセンターと界面の歪みの挙動の相関性を調べた。