[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-1] HCl支援がα-Ga₂O₃薄膜作製に及ぼす影響

〇安岡 龍哉¹、刘 丽²、ダン タイジャン²、川原村 敏幸^1,2 (1.高知工大シス工、2.高知工大総研)

キーワード：α-Ga2O3、ミストCVD

ミストCVD法によるα-Ga₂O₃薄膜作製時に、HClを支援した時に表れる膜品質の違いについて報告する。