[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-10] [Highlight]Physical Properties of Molten Ga₂O₃ Measured with an Electrostatic Levitation Furnace in the International Space Station-KIBO

〇Kenji Yoshida¹, Hirohiko Kumagai¹, Takayoshi Yamane¹, Atsushi Hayashi¹, Chihiro Koyama², Hirohisa Oda², Tsuyoshi Ito², Takehiko Ishikawa² (1.AGC Inc., 2.JAXA)

Keywords:Wide bandgap semiconductor, Ga2O3

微小重力環境である国際宇宙ステーション「きぼう」内の静電浮遊炉を利用し、酸化ガリウムの融液物性値（融液密度、表面張力、粘性係数）の取得に成功した結果について報告を行う。