[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-11] Characterization of physical properties of β-Ga₂O₃ thin films grown on c-plane sapphire substrates by a chemical solution deposition method

〇Masatoshi Koyama¹, Kazuaki Toyoda¹, Ryosuke Ouchi¹, Nobuya Hiroshiba¹, Kazuto Koike¹ (1.Osaka Inst. Tech.)

Keywords:Gallium oxide, Ga2O3, chemical solution deposition method

Ga₂O₃は約5.0 eVのバンドギャップを持つ半導体材料として，パワーデバイスや深紫外光検出デバイスへの応用が期待されている．本研究では，非真空かつ簡便な装置構成で比較的平坦な薄膜の成膜が可能であり，膜厚制御性にも優れた手法である溶液塗布熱分解法に注目し，溶液塗布熱分解法を用いてc 面サファイア基板上にGa₂O₃薄膜の成膜を試み，その物性評価を行なった結果について報告する．