[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-12] Dopant concentration evaluation of β-Ga₂O₃ by SCFM

〇Yuuki Uchida¹, Keiichiro Kato², Takumi Masuda², Kohei Sasaki¹, Nobuo Satoh², Hidekazu Yamamoto² (1.Novel Crystal Tech., 2.Chiba Inst. of Tech.)

Keywords:Ga2O3, Scanning Capacitance Force Microscopy, Probe Microscope

β-Ga₂O₃は4.5 eVを超える大きなバンドギャップを有しており、次世代パワーデバイス材料として注目されている。近年、Ga₂O₃パワーデバイスの研究開発が進展し、ミクロンスケールの加工が施されたSBDやFETが各種報告されている。それを受けて、サブミクロン領域におけるドナー濃度評価技術の需要が高まっている。今回我々のグループは、走査型容量原子間力顕微鏡法(SCFM)を用いてGa₂O₃の微小領域におけるドナー濃度評価が可能であることを確認したため報告する。