[26p-E202-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[26p-E202-12] 走査型容量原子間力顕微鏡法によるβ-Ga₂O₃のドーパント濃度評価

〇内田 悠貴¹、加藤 圭一郎²、増田 匠²、佐々木 公平¹、佐藤 宣夫²、山本 秀和² (1.ノベルクリスタルテクノロジー、2.千葉工大工)

キーワード：β型酸化ガリウム、走査型容量原子間力顕微鏡法、プローブ顕微鏡

β-Ga₂O₃は4.5 eVを超える大きなバンドギャップを有しており、次世代パワーデバイス材料として注目されている。近年、Ga₂O₃パワーデバイスの研究開発が進展し、ミクロンスケールの加工が施されたSBDやFETが各種報告されている。それを受けて、サブミクロン領域におけるドナー濃度評価技術の需要が高まっている。今回我々のグループは、走査型容量原子間力顕微鏡法(SCFM)を用いてGa₂O₃の微小領域におけるドナー濃度評価が可能であることを確認したため報告する。