[26p-E202-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[26p-E202-7] Investigation of corundum structured oxide semiconductors by first principles calculations for realization of p-type α-Ga₂O₃

〇Atsuto Itsumi¹, Kazuyuki Uno¹ (1.Wakayama Univ.)

Keywords:gallium oxide, first principles calculation

α型酸化ガリウム (α-Ga2O3)は酸化ガリウムの準安定相であり、高耐圧デバイスへの応用が期待されているがp型が作製困難という問題点がある。酸化イリジウム (α-Ir2O3)にp型伝導を示す報告があることを参考に、α-Ir2O3および関連物質の第一原理計算による電子構造の検討を行った。遷移金属酸化物の仮想コランダム構造についての計算を行ったところ、α-Co2O3がもし作製できれば、Coの3d電子がα-Ga2O3の価電子帯と重なる。このことから、Coがp型ドーパントとしての可能性があると考えられる。Ir2O3についての他の結晶構造についての第一原理計算による構造予測についても当日報告する。