[26p-E203-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[26p-E203-1] [第43回優秀論文賞受賞記念講演] AlGaN UV-B LDの開発と室温パルス発振動作の実現

〇佐藤 恒輔^1,2、安江 信次²、田中 隼也²、大森 智也²、山田 和輝²、石塚 彩花²、手良村 昌平²、荻野 雄矢²、岩山 章^2,3、岩谷 素顕²、三宅 秀人³、竹内 哲也²、上山 智² (1.旭化成、2.名城大、3.三重大)

キーワード：レーザーダイオード、紫外、AlGaN

当研究室では2020年に、貫通転位密度を10⁹cm^-2以下に低減させた格子緩和厚膜n-Al_0.6Ga_0.4N下地層、40 kAcm^-2以上の高電流密度での駆動を実現するIII族組成傾斜p-AlGaN層、垂直平坦なAlGaN薄膜の共振器端面を用いることで、閾値電流密度41.2 kA/cm²のUV-B LDの室温パルス発振に成功した。本成果を基に研究を進めることで、閾値電流密度は現在9.4 kA/cm2まで低減しており、本発表ではこれまでの開発を、各技術の要点とともに報告する。